隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，采用該技術(shù)的微機(jī)械傳感器研發(fā)事業(yè)正在壯大。但人們往往會(huì)有一種想法，即只要采用了MEMS的制造技術(shù)，*可以把傳統(tǒng)的傳感器做成小型的器件。除MEMS制造技術(shù)外，*可以沿用傳統(tǒng)的傳感器相關(guān)技術(shù)。事實(shí)上由于MEMS技術(shù)引入，傳感器的相應(yīng)設(shè)計(jì)規(guī)則也發(fā)生了變化。這其中包括：微機(jī)械應(yīng)力的獲取規(guī)則、微小電容檢測的規(guī)則、溫度漂移的引入規(guī)則、微機(jī)械位移和固有頻率的關(guān)系、噪聲作用的順序、zui終噪聲底線等。同時(shí)，在MEMS執(zhí)行器方面，也出現(xiàn)了諸如靜電驅(qū)動(dòng)深寬比法則、驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性條件、空氣和稀薄氣體的阻尼、靜電吸合法則、微機(jī)械熱平衡與傳輸規(guī)律、表面張力和毛細(xì)管作用規(guī)律、非線性振動(dòng)規(guī)律等十分重要的問題。這些問題在宏觀機(jī)械領(lǐng)域不起很大作用，因而沒有受到很大重視。需要在研發(fā)MEMS傳感器技術(shù)的同時(shí)逐步加以解決。
就在MEMS技術(shù)還處于不很完善的情況下，人們已經(jīng)迫切希望和需要MEMS傳感器走向?qū)嵱没彤a(chǎn)業(yè)化。其原因和動(dòng)力如下：
a. 人們認(rèn)為MEMS技術(shù)是微電子集成模式的延續(xù)和發(fā)展，理應(yīng)盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；
b. MEMS傳感器除可以實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)產(chǎn)品更新?lián)Q代之外，還可以依據(jù)自身的優(yōu)勢開拓嶄新的應(yīng)用市場，應(yīng)用前景廣闊。
c. 在Bio-MEMS、RF-MEMS等技術(shù)相繼出現(xiàn)后，人們期待MEMS技術(shù)成為一種在從工業(yè)化到信息化乃至生物時(shí)代跨越發(fā)展中具有普適性的技術(shù)。而當(dāng)人們紛紛展開MEMS產(chǎn)品技術(shù)的研究時(shí)，往往發(fā)現(xiàn)器件指標(biāo)總是與應(yīng)用需求有一些差距，我們稱之為臨界點(diǎn)突破前的困惑。仔細(xì)分析原因，有如下的一些因素：
a. MEMS選擇了微電子集成制造的先進(jìn)模式，也同時(shí)選擇了它在三維機(jī)械加工方面的先天不足。人們也借鑒其它學(xué)科的一些三維加工技術(shù)并運(yùn)用到MEMS中來。如采用電鍍、粉末冶金、電火花技術(shù)等。這些技術(shù)很多與硅基的微電子集成模式又沒有很好的兼容性。
b. 在產(chǎn)品市場開發(fā)中，MEMS產(chǎn)品取代傳統(tǒng)產(chǎn)品遇到很多困惑。人們往往關(guān)注MEMS產(chǎn)品能否比傳統(tǒng)產(chǎn)品具有更高的技術(shù)指標(biāo)，而忽略了MEMS技術(shù)帶來的其它優(yōu)勢和特點(diǎn)。
c. 很多正在開發(fā)的MEMS產(chǎn)品在性能上似乎總是接近但有不容易*達(dá)到應(yīng)用對(duì)指標(biāo)的要求。相差不是很遠(yuǎn)但zui后一段路往往十分漫長。
所以，從目前來看，在MEMS技術(shù)體系框架內(nèi)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，盡快使MEMS傳感器能夠達(dá)到應(yīng)用的要求，這一點(diǎn)對(duì)MEMS技術(shù)實(shí)用化進(jìn)程的成功十分重要。
